拋光過程中具有:
1.高拋光速率，利用大粒徑的膠體二氧化硅粒子達到高速拋光的目的。
2.高平坦度加工，本品拋光是利用SiO2的膠體粒子，不會對加工件造成物理損傷，達到高平坦化加工.
拋光過程后具有:
1.精度可以達到納米級
2.劃傷和挖傷可以達到0/0。
適用于集成電路當中的銅互連工藝制程中銅的去除和平坦化。具有高的銅去除速率，碟型叫陷可調
低缺陷等特性。可應用于邏輯芯片以及3D NAND和DRAM芯片等量產使用。清除集成電路中銅拋光后表面
的拋光顆粒和化學物殘留，以防銅表面腐蝕，降低表面缺陷。
以及用于單晶硅、多晶硅的研磨拋光，存儲器制程和背照式傳感器(BSI)制程等。可定制選擇穩定的選擇
比，去除速率，對氧化物/氮化物的選擇比。硅精拋液系列具有低缺陷的優點。BSI拋光液系列具有理想的
硅和二氧化硅去除速率和選擇比。涵蓋TSV銅/阻擋層S，TSV晶背銅/介質層拋、TSV晶背硅
、TSV晶背硅/銅等。具有高去除速率、選擇比可調等優點。
以及集成電路制造工藝中淺槽隔離的拋光等等
使用方法
使用方法:
1.使用前清理瓶口，以防污染發生。
2.使用時，根據不同行業的需要可用去離子水加以稀釋，調制不同濃度
3.現場需保持清潔無揚塵，防止受到拋光液配制和使用過程遭到污染。
4.循環使用粘度增大時,應予以重新配制新的拋光液，以免損傷工件，降低良率
儲存方法:
1.保持室內陰涼
2.避免敞口長期與空氣接觸。
3.貯存時應避免曝曬，貯存溫度為5-35C
4.低于0°C以上儲存，防止結冰，在零度以下因產生不可再分散結塊而失效
價格實惠:
引進國外生產技術，品質可以媲美進口的產品,有效的避免了進口產品其交貨周期長，價格
昂貴。
